供应商：自营(DL0001)

说明：

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说明：晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：3V@20mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)：300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii)：300mV@50mA,2.5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@5mA,10V

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说明：此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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说明：

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说明：此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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